专注高性能计算领域资讯
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Sentaurus
一、起点：两条新闻背后的器件物理 2025年12月25日，《自然·通讯》刊出一篇论文：西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队联合北京大学、香港大学及中国电科第五十五研究所，在氮化镓射频晶体管研究中首创”离子注入诱导成核”技术，把异质外延界面从粗糙的”岛状”变成原子级平整的”薄膜”，界面热阻降到传统结构的三分之一。基于该技术制 […]
存储器Flash器件号称”芯片里的黑匣子”，浮栅上有没有电荷就是0和1的区别，而电荷的写入擦除全靠隧穿氧化层里那一缕指数级的隧穿电流。Sentaurus TCAD做Flash器件级仿真，FN隧穿模型+浮栅电荷自洽+偏压扫描，指数刚性的电流方程稍配错就直接发散。更头疼的是，器件结构、氧化层厚度、工艺窗口全是存储厂的核心机密，数据涉密不敢传云端AI，牛顿迭代不收敛、隧穿电流溢出 […]
一、当原子级精度成为刚需 2025年7月17日，由中国工业合作协会仿真技术产业分会主办的第17期仿真大讲堂在北京举办。这场以”半导体器件和工艺仿真的现状与展望”为主题的闭门研讨，吸引了来自Synopsys、鸿之微、中芯国际等产业链上下游的技术负责人。席间一位从事功率器件研发的工程师提了一个尖锐的问题：”我们的GaN HEMT器件在实验上表现很好，但TCAD仿真和 […]
2024年，《国防科技大学学报》刊载了一项关于22nm全耗尽型绝缘体上硅（FDSOI）器件的研究。论文中，作者团队基于三维TCAD数值模拟，精确定位了单粒子瞬态效应的敏感区域，并系统分析了偏置电压与温度对器件辐射响应的影响机理。这项工作的背后，是数百万个网格节点在求解器中反复迭代，直到漂移扩散方程在每一组偏压条件下都收敛到稳态。 对于微电子领域的科研人员来说，器件仿真已成为设计流程的必经环节。从早 […]
半导体工艺推进到7nm节点，FinFET结构的三维效应、量子约束、载流子弹道输运，让TCAD仿真从”工程工具”变成了”算力黑洞”。你在Sentaurus里画好三维Fin结构，设好Schrödinger-Poisson-DD耦合，点下Solve，进度条走到第5个Newton步，屏幕一红——“Divergence in Newton iter […]
做过先进节点器件仿真的工程师都懂，Sentaurus跑量子约束输运最崩溃的不是阈值电压算不准，而是FinFET/GAA纳米级网格一加密，Schrödinger-Poisson与漂移扩散刚耦合，Newton迭代直接内存溢出，或量子势计算时系统换页导致求解器发散。去年深秋，一个做3nm GAA晶体管TCAD标定的团队找到我们，离流片tape-out只剩五天。他们的Sentaurus模型（GAA纳米片， […]
2010年，教育部在哈尔滨工业大学等五所高校批准设立”光电子材料与器件”本科专业。哈工大的信息功能材料与器件课题组，在赵连城院士带领下，建成了1500平方米的实验室，引进法国Riber分子束外延系统两套，各类材料制备、性能测试、评价分析设备二十余台套，总价值超过三千万元。这个实验室后来衍生出”微纳光电信息系统理论与技术”工信部重点实验室，也成为哈工大 […]
看了Ansys Lumerical 2026 R1的发布动态，我意识到一个趋势正在加速——硅光电子（Silicon Photonics）正在从实验室走向大规模商用，而仿真工具的一体化整合，正在抹平”光学设计”与”电学设计”之间的传统鸿沟。 看到Lumerical与Synopsys OptoCompiler的桥接功能的时候，我第一反应是”终 […]
看完最近CFD（Computational Fluid Dynamic）圈这场开年大戏，我倒是品出了一些不一样的味道。往年这个时候，ANSYS Fluent的年度更新早就刷屏了，但今年西门子的STAR-CCM+ 2602却抢先一步抢尽了风头。这种微妙的节奏变化背后，其实是整个行业正在经历的一场深层洗牌——当ANSYS被Synopsys收入麾下，传统宏观热流体仿真与芯片级EDA工具的深度整合，势必要 […]
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