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前言 做辐射探测半导体探测器的同行,对这个场景大概率不陌生:硅、碳化硅或CZT探测器的电荷收集效率要评——Sentaurus TCAD里器件结构加偏压扫描加粒子入射的模型一提交,网格自动生成把高场区细分到爆炸,求解器内存告警崩溃;好不容易收敛了,诱导电流波形和激光实验对不上,被追问”探测器性能预测到底敢不敢用”。更麻烦的是器件结构、缺陷参数、实验数据全是核心资产——仿真语句 […]
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